Diferença Entre JFET e MOSFET (Com Tabela)

JFET ou transístores de efeito de Campo são dispositivos elétricos que são usados como amplificadores e interruptores e tornaram-se parte integrante de chips de memória. JFET e MOSFET são dois tipos de FET que funcionam com base no princípio dos transistores de junção, mas são bastante diferentes uns dos outros.

JFET vs MOSFET

a diferença entre O JFET e MOSTFET é que a corrente através JFET é canalizadas pelo campo elétrico ao longo do inversamente polarizados junção PN considerando que no MOSFET a condutividade é devida ao campo elétrico transversal no setor metal-óxido isolante incorporado no semicondutor.

a próxima diferença fundamental entre os dois é que o JFET Permite Menos Impedância de entrada do que o MOSFET e, uma vez que este último possui um isolador embutido, permite menos vazamento de corrente.

JFET que é normalmente denominado como “ON device” é uma ferramenta do tipo depleção que tem baixa resistência ao dreno, enquanto seu sucessor MOSFET é denominado normalmente como “off device” que pode funcionar tanto no modo de depleção quanto no modo aprimorado e tem alta resistência ao dreno.

Parâmetro de Comparação JFET MOSFET
impedância de Entrada Baixa impedância de entrada de cerca de 108 Ω Alta impedância de entrada de cerca de 1010 a 1015 Ω
Drenagem de resistência Baixa de drenagem de resistência Alta resistência de dreno
Fácil de fabricação Ele é mais difícil de fabricar do que o MOSFET é comparativamente mais fácil de montar do que o JFET
Preço > Menor custo que MOSFET Caro do que JFET
Funcionamento do Modo Esgotamento tipo Tanto o esgotamento e o aprimoramento tipo de

JFET, que é uma abreviatura para Junção Gate do Transistor de Efeito de Campo é um dispositivo unipolar que, basicamente, de três partes, uma fonte, um dreno, e um portão. É usado principalmente em amplificadores, resistores e interruptores.

é um tipo básico de FET que funciona quando uma pequena tensão é aplicada ao terminal do portão. Esta pequena tensão permite que a corrente flua da fonte para drenar e além.

a tensão aplicada no portão (VGS) controla a largura da zona de esgotamento e, portanto, a quantidade de corrente que flui através do semicondutor. Assim, a corrente de drenagem que flui através do canal é proporcional à tensão aplicada.

à medida que a tensão negativa no terminal do portão aumenta, a zona de depleção se alarga e a corrente menor flui através do canal e, finalmente, um estágio atinge onde a zona de depleção interrompe completamente o fluxo de corrente.

JFET é classificada em N-JFET Canal onde o canal que liga o dreno e a fonte é fortemente dopado com elétrons e P-JFET Canal onde o canal é rico em buracos

MOSFET ou Metal oxide semiconductor FET é uma configuração avançada da EFC, que tem quatro partes para a realização de suas funções. Eles são amplamente utilizados em chips de memória de computador, como em células de memória semicondutora de óxido de metal para armazenar bits.

embora o MOSFET siga o princípio básico do FET, ele tem um design mais complicado que também o torna mais eficiente. O MOSFET também é um dispositivo unipolar que funciona tanto nos modos de esgotamento quanto de aprimoramento para amplificar sinais.

todos os tipos de MOSFET têm um isolador de óxido de metal que separa o substrato do portão. Quando uma tensão é aplicada no terminal da porta, um canal é formado, devido à força eletrostática, entre o dreno e a fonte que permite a corrente.

O D-MOSFET funciona no modo de esgotamento onde existe um canal pré-construído e este canal é fechado na aplicação de uma tensão, enquanto o e-MOSFET que funciona no modo de Aprimoramento requer um potencial para criar um canal para fluxo de corrente. MOSFET é um FET mais avançado feito para aumentar a resistência do dreno e aplicar a impedância infinita da entrada ao abaixar a corrente do escapamento. No entanto, MOSFET requer boa manutenção devido ao risco de corrosão associada devido ao isolador de óxido de metal.

as Principais Diferenças entre o JFET e MOSFET

  • A principal diferença entre JFET e MOSFET é que atual no JFET fluxos, devido ao campo elétrico na junção PN e que no MOSFET é devido ao campo elétrico transversal do metal da camada de óxido.
  • a próxima diferença crucial é que o JFET tem menor impedância de entrada, enquanto o MOSFET praticamente tem impedância infinita, uma vez que não há contato direto entre o portão e o substrato.
  • outra diferença notável é que o JFET tem menor resistência ao dreno, enquanto o MOSFET tem uma alta resistência ao dreno.
  • JFET também tem uma maior corrente de fuga, mas MOSFET foi curetado para ser mais eficiente com menor corrente de fuga.
  • embora o JFET seja mais difícil de montar do que o MOSFET, é menos caro do que o último.

JFET e do seu sucessor, MOSFET ambos são amplamente utilizados como amplificadores e interruptores em diversos campos de aplicação. No entanto, o MOSFET emergiu como transistores mais competentes para serem usados em chips de memória de computador.

A principal diferença entre os dois é que a JFET usa um campo elétrico na junção PN, enquanto a MOSFET utiliza um campo elétrico transversal na camada de óxido de metal embutida para condutividade elétrica através do substrato.

outra diferença fundamental é que a JFET não possui camada de óxido de metal para isolamento que a MOSFET possui em seu design e, portanto, o nome Transistor de Efeito de campo semicondutor de óxido de Metal ou MOSFET foi dado.

JFET é a forma mais básica de FET, enquanto MOSFET foi projetado para ser mais eficiente e tem menos corrente de fuga. Isto foi conseguido incorporando a barreira do óxido de metal entre o terminal da porta e a carcaça.

embora JFET e MOSFET pertençam à mesma família de transistores, JFET é muito diferente de seu primo MOSFET, que tem uma resistência e impedância de drenagem muito maiores do que JFET.

a diferença entre o JFET e o MOSFET os levou a um campo de uso diferente, como o JFET, é mais usado em amplificadores, retificadores e interruptores, enquanto o MOSFET é incorporado em chips de memória de computador por seu alto nível de eficiência.

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