Differenza tra JFET e MOSFET (con tabella)

JFET o transistor ad effetto di campo sono dispositivi elettrici che vengono utilizzati come amplificatori o interruttori e sono diventati parte integrante di chip di memoria. JFET e MOSFET sono due tipi di FET che funzionano sul principio dei transistor a giunzione ma sono molto diversi l’uno dall’altro.

JFET vs MOSFET

La differenza tra JFET e MOSTFET è che la corrente attraverso JFET è incanalata dal campo elettrico attraverso la giunzione PN inversa, mentre nel MOSFET la conduttività è dovuta al campo elettrico trasversale nell’isolante di ossido di metallo incorporato nel semiconduttore.

La prossima differenza chiave tra i due è che JFET consente meno impedenza di ingresso rispetto MOSFET e poiché quest’ultimo che ha un isolante incorporato permette meno perdite di corrente.

JFET che viene normalmente definito come “ON device” è uno strumento di tipo deplezione che ha una bassa resistenza di scarico mentre il suo successore MOSFET è definito come normalmente “OFF device” che può funzionare sia in modalità deplezione che in modalità avanzata e ha un’elevata resistenza di scarico.

Parametro di Confronto JFET MOSFET
impedenza di Ingresso Bassa impedenza di ingresso di circa 108 Ω Alta impedenza di ingresso di circa 1010 1015 Ω
Scarico resistenza Bassa resistenza di scarico Alta resistenza di scarico
Facile di fabbricazione è più difficile da fabbricare rispetto MOSFET è relativamente più facile da montare rispetto a JFET
Prezzo Basso costo di MOSFET di più del JFET
Modalità di Funzionamento Deplezione di tipo Sia l’esaurimento e la valorizzazione di tipo

JFET, che è l’abbreviazione di Giunzione Gate Transistor a Effetto di Campo è un unipolare dispositivo che ha sostanzialmente di tre parti, una fonte, una di scarico, e un cancello. Viene principalmente utilizzato in amplificatori, resistori e interruttori.

È un tipo di base di FET che funziona quando una piccola tensione viene applicata al terminale di gate. Questa piccola tensione consente alla corrente di fluire dalla sorgente allo scarico e oltre.

La tensione applicata sul gate (VGS) controlla la larghezza della zona di esaurimento e quindi la quantità di corrente che scorre attraverso il semiconduttore. Quindi, la corrente di scarico che scorre attraverso il canale è proporzionale alla tensione applicata.

Quando la tensione negativa sul terminale di gate aumenta, la zona di esaurimento si allarga e una minore corrente scorre attraverso il canale e, infine, uno stadio raggiunge il punto in cui la zona di esaurimento interrompe completamente il flusso di corrente.

JFET è ulteriormente classificati in N-Channel JFET, dove il canale che collega drain e source è pesantemente drogato con elettroni e a Canale P JFET, dove il canale è ricco di fori

MOSFET o Metallo-ossido-semiconduttore FET è una configurazione avanzata del FET che ha quattro parti per svolgere le sue funzioni. Sono ampiamente utilizzati nei chip di memoria del computer come nelle celle di memoria a semiconduttore di ossido di metallo per la memorizzazione di bit.

Sebbene il MOSFET segua il principio di base del FET, ha un design più complicato che lo rende anche più efficiente. Il MOSFET è anche un dispositivo unipolare che funziona sia in modalità di esaurimento che di potenziamento per amplificare i segnali.

Tutti i tipi di MOSFET hanno un isolante di ossido di metallo che separa il substrato dal cancello. Quando viene applicata una tensione sul terminale di gate si forma un canale, a causa della forza elettrostatica, tra lo scarico e la sorgente che consente la corrente.

Il D-MOSFET funziona in modalità di esaurimento dove esiste un canale precostruito e questo canale è chiuso applicando una tensione mentre E-MOSFET che funziona in modalità di miglioramento richiede un potenziale per creare un canale per il flusso di corrente. MOSFET è un FET più avanzato realizzato per aumentare la resistenza di scarico e applicare impedenza di ingresso infinita abbassando la corrente di dispersione. Tuttavia, il MOSFET richiede una buona manutenzione a causa del rischio di corrosione associato all’isolante di ossido di metallo.

Principali differenze tra JFET e MOSFET

  • La differenza chiave tra JFET e MOSFET è che la corrente in JFET scorre a causa del campo elettrico nella giunzione PN e che in MOSFET è dovuta al campo elettrico trasversale nello strato di ossido di metallo.
  • La prossima differenza cruciale è che il JFET ha un’impedenza di ingresso inferiore mentre il MOSFET ha praticamente un’impedenza infinita poiché non vi è alcun contatto diretto tra il gate e il substrato.
  • Un’altra differenza notevole è che il JFET ha una resistenza di scarico inferiore mentre il MOSFET ha un’elevata resistenza di scarico.
  • JFET ha anche una maggiore corrente di dispersione, ma MOSFET è stato curetted per essere più efficiente con una minore corrente di dispersione.
  • Sebbene JFET sia più difficile da assemblare rispetto al MOSFET, è meno costoso di quest’ultimo.

JFET e il suo successore MOSFET entrambi sono ampiamente utilizzati come amplificatori e interruttori in vari campi di applicazione. Tuttavia, MOSFET è emerso come transistor più competenti da utilizzare nei chip di memoria del computer.

La differenza principale tra i due è che JFET utilizza un campo elettrico nella giunzione PN mentre MOSFET utilizza un campo elettrico trasversale nello strato di ossido metallico incorporato per la conduttività elettrica attraverso il substrato.

Un’altra differenza fondamentale è che il JFET non ha uno strato di ossido di metallo per l’isolamento che il MOSFET possiede nel suo design e quindi è stato dato il nome Transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo o MOSFET.

JFET è la forma più semplice di FET, mentre MOSFET è stato progettato per essere più efficiente e ha meno corrente di dispersione. Ciò è stato ottenuto incorporando la barriera di ossido di metallo tra il terminale del cancello e il substrato.

Sebbene JFET e MOSFET appartengano alla stessa famiglia di transistor, JFET è molto diverso dal suo cugino MOSFET che ha una resistenza e un’impedenza di scarico molto più elevate rispetto a JFET.

La differenza tra JFET e MOSFET li ha portati ad un diverso campo di utilizzo come JFET è utilizzato più in amplificatori, raddrizzatori, e interruttori mentre MOSFET è incorporato in chip di memoria del computer per il loro alto livello di efficienza.

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