a JFET vagy a Field effect tranzisztorok olyan elektromos eszközök, amelyeket erősítőként vagy kapcsolóként használnak, és a memória chipek szerves részévé váltak. A JFET és a MOSFET kétféle FET, amelyek a csatlakozási tranzisztorok elvén működnek, de meglehetősen különböznek egymástól.
JFET vs MOSFET
a JFET és a MOSTFET közötti különbség az, hogy a JFET-en átáramló áramot az elektromos mező vezeti át a fordított előfeszítésű PN csomóponton, míg a MOSFET-ben a vezetőképesség a félvezetőbe ágyazott fém-oxid szigetelő keresztirányú elektromos mezőjének köszönhető.
a következő kulcsfontosságú különbség a kettő között az, hogy a JFET kevesebb bemeneti impedanciát tesz lehetővé, mint a MOSFET, mivel az utóbbi, amelynek szigetelője van beágyazva, kevesebb áramszivárgást tesz lehetővé.
a JFET, amelyet általában “on device” – nek neveznek, egy kimerülési típusú eszköz, amelynek alacsony a leeresztési ellenállása, míg utódját, a MOSFET-et általában “OFF device” – nek nevezik, amely mind kimerülési, mind továbbfejlesztett üzemmódban képes működni, és nagy leeresztési ellenállással rendelkezik.
| összehasonlítási paraméter | JFET | MOSFET |
|---|---|---|
| bemeneti impedancia | alacsony bemeneti impedancia körülbelül 108 dB | nagy bemeneti impedancia körülbelül 1010-1015 db |
| leeresztési ellenállás | alacsony leeresztési ellenállás | magas leeresztési ellenállás |
| könnyű gyártás | nehezebb gyártani, mint a MOSFET | viszonylag könnyebb összeszerelni, mint a JFET |
| Ár | alacsonyabb költség mint a MOSFET | költségesebb, mint a JFET |
| Működési mód | kimerülési típus | mind kimerülési, mind fokozási típus |
a JFET, amely a Junction Gate Field Effect Transistor rövidítése, egy unipoláris eszköz, amely alapvetően három részből áll, egy forrásból, egy lefolyóból és egy kapuból. Leginkább erősítőkben, ellenállásokban és kapcsolókban használják.
Ez a FET alapvető típusa, amely akkor működik, ha kis feszültséget alkalmaznak a kapu termináljára. Ez a kis feszültség lehetővé teszi az áram áramlását a forrástól a lefolyóig és azon túl.
a kapun alkalmazott feszültség (VGS) szabályozza a kimerülési zóna szélességét, így a félvezetőn átáramló áram mennyiségét. Ezért a csatornán átfolyó leeresztő áram arányos az alkalmazott feszültséggel.
ahogy a negatív feszültség a kaputartón növekszik, a kimerülési zóna kiszélesedik, és kisebb áram áramlik át a csatornán, végül egy szakasz eléri, ahol a kimerülési zóna teljesen leállítja az áram áramlását.
a JFET tovább sorolható az N-csatornás JFET-be, ahol a csatorna, amely összeköti a lefolyót és a forrást, erősen adalékolt elektronokkal és a P-csatornás JFET-be, ahol a csatorna lyukakban gazdag
a MOSFET vagy a fém-oxid félvezető FET a FET fejlett konfigurációja, amelynek négy része van funkcióinak ellátásához. Széles körben használják számítógépes memória chipekben, például fém-oxid félvezető memóriacellákban bitek tárolására.
bár a MOSFET a FET alapelvét követi, bonyolultabb kialakítású, ami szintén hatékonyabbá teszi. A MOSFET egy unipoláris eszköz is, amely mind kimerülési, mind fokozási módban működik a jelek erősítésére.
a MOSFET minden típusának van egy fém-oxid szigetelője, amely elválasztja az aljzatot a kaputól. Amikor a kapukapocson feszültséget alkalmazunk, az elektrosztatikus erő hatására egy csatorna alakul ki a lefolyó és a forrás között, amely lehetővé teszi az áramot.
A D-MOSFET kimerülési módban működik, ahol létezik egy előre felépített csatorna, és ez a csatorna feszültség alkalmazásakor zárva van, míg az e-MOSFET, amely a bővítési módban működik, lehetőséget igényel arra, hogy csatornát hozzon létre az áramáramláshoz. A MOSFET egy fejlettebb FET, amely növeli a leeresztési ellenállást és végtelen bemeneti impedanciát alkalmaz, miközben csökkenti a szivárgási áramot. A MOSFET azonban jól karbantartást igényel, mivel a fém-oxid szigetelő miatt korrózió veszélye áll fenn.
főbb különbségek a JFET és a MOSFET között
- a legfontosabb különbség a JFET és a MOSFET között az, hogy a JFET-ben az áram a PN csomópontban lévő elektromos mező miatt áramlik, a MOSFET-ben pedig a fémoxid réteg keresztirányú elektromos mezője.
- a következő döntő különbség az, hogy a JFET alacsonyabb bemeneti impedanciával rendelkezik, míg a MOSFET gyakorlatilag végtelen impedanciával rendelkezik, mivel nincs közvetlen kapcsolat a kapu és az aljzat között.
- egy másik figyelemre méltó különbség az, hogy a JFET leeresztési ellenállása alacsonyabb, míg a MOSFET leeresztési ellenállása magas.
- a JFET-nek is nagyobb a szivárgási áram, de a MOSFET-et úgy alakították ki, hogy hatékonyabb legyen alacsonyabb szivárgási áram mellett.
- bár a JFET-et nehezebb összeszerelni, mint a MOSFET-et, kevésbé költséges, mint az utóbbi.
a JFET-et és utódját, a MOSFET-et széles körben használják erősítőként és kapcsolóként különböző alkalmazási területeken. A MOSFET azonban kompetensebb tranzisztorként jelent meg, amelyet a számítógépes memória chipekben lehet használni.
a fő különbség a kettő között az, hogy a JFET elektromos mezőt használ a PN csomópontban, míg a MOSFET keresztirányú elektromos mezőt használ a beágyazott fémoxid rétegben az aljzaton keresztüli elektromos vezetőképesség érdekében.
egy másik kulcsfontosságú különbség az, hogy a JFET-nek nincs olyan fém-oxid rétege a szigeteléshez, amelyet a MOSFET tervezésében birtokol, ezért a fém-oxid félvezető térhatású tranzisztor vagy a MOSFET nevet adták.
a JFET a FET legalapvetőbb formája, míg a MOSFET-et hatékonyabbá és kevesebb szivárgási árammal tervezték. Ezt úgy sikerült elérni, hogy a fém-oxid gátat beépítették a kaputerminálba és a szubsztrátumba.
bár a JFET és a MOSFET ugyanabba a tranzisztorcsaládba tartozik, a JFET nagyon különbözik unokatestvérétől, a MOSFET-től, amely sokkal nagyobb lefolyási ellenállással és impedanciával rendelkezik, mint a JFET.
a JFET és a MOSFET közötti különbség más felhasználási területre vezette őket, például a JFET-et inkább erősítőkben, egyenirányítókban és kapcsolókban használják, míg a MOSFET-et a számítógép memóriachipjeibe építik be magas szintű hatékonyságuk érdekében.
hirdetés jelentése Tartalomjegyzék