Différence Entre JFET et MOSFET (Avec Tableau)

Les transistors à effet de champ ou JFET sont des dispositifs électriques utilisés comme amplificateurs ou commutateurs et devenus partie intégrante des puces de mémoire. JFET et MOSFET sont deux types de FET qui fonctionnent sur le principe des transistors à jonction mais sont assez différents les uns des autres.

JFET vs MOSFET

La différence entre JFET et MOSTFET est que le courant traversant JFET est canalisé par le champ électrique à travers la jonction PN polarisée en inverse alors que dans le MOSFET, la conductivité est due au champ électrique transversal dans l’isolant à oxyde métallique incorporé sur le semi-conducteur.

La différence clé suivante entre les deux est que le JFET permet moins d’impédance d’entrée que le MOSFET et puisque ce dernier qui a un isolant intégré permet moins de fuite de courant.

JFET, qui est normalement appelé “SUR appareil”, est un outil de type à épuisement qui présente une faible résistance au drain, tandis que son MOSFET successeur est appelé normalement “HORS appareil” qui peut fonctionner à la fois en mode d’épuisement et en mode amélioré et a une résistance au drain élevée.

Paramètre de comparaison JFET MOSFET
Impédance d’entrée Faible impédance d’entrée d’environ 108 Ω Impédance d’entrée élevée d’environ 1010 à 1015 Ω
Résistance de vidange Faible résistance de vidange Résistance de vidange élevée
Facile à fabriquer Il est plus difficile à fabriquer que le MOSFET Il est relativement plus facile à assembler que le JFET
Prix Coût inférieur que MOSFET Plus coûteux que JFET
Mode de fonctionnement Type d’épuisement Type d’épuisement et d’amélioration

JFET, qui est une abréviation de Junction Gate Field Effect Transistor est un dispositif unipolaire qui comporte essentiellement trois parties, une source, un drain et une grille. Il est principalement utilisé dans les amplificateurs, les résistances et les commutateurs.

C’est un type de FET de base qui fonctionne lorsqu’une petite tension est appliquée à la borne de grille. Cette petite tension permet au courant de circuler de la source au drain et au-delà.

La tension appliquée sur la grille (VGS) contrôle la largeur de la zone de déplétion et donc la quantité de courant traversant le semi-conducteur. Ainsi, le courant de drain traversant le canal est proportionnel à la tension appliquée.

Lorsque la tension négative sur la borne de grille augmente, la zone d’épuisement s’élargit et un courant moindre circule dans le canal et enfin, un étage atteint l’endroit où la zone d’épuisement arrête complètement le flux de courant.

JFET est en outre classé en JFET à canal N où le canal qui relie le drain et la source est fortement dopé avec des électrons et en JFET à canal P où le canal est riche en trous

MOSFET ou Metal oxide semiconductor FET est une configuration avancée de FET qui comporte quatre parties pour remplir ses fonctions. Ils sont largement utilisés dans les puces de mémoire d’ordinateur telles que dans les cellules de mémoire à semi-conducteur à oxyde métallique pour stocker des bits.

Bien que MOSFET suive le principe de base du FET, il a une conception plus compliquée qui le rend également plus efficace. MOSFET est également un dispositif unipolaire qui fonctionne à la fois en modes d’épuisement et d’amélioration pour amplifier les signaux.

Tous les types de MOSFET ont un isolant à oxyde métallique qui sépare le substrat de la grille. Lorsqu’une tension est appliquée sur la borne de grille, un canal est formé, en raison de la force électrostatique, entre le drain et la source qui permet le courant.

Le MOSFET D fonctionne en mode d’épuisement lorsqu’il existe un canal pré-construit et que ce canal est fermé lors de l’application d’une tension tandis que le MOSFET E qui fonctionne en mode d’amélioration nécessite un potentiel pour créer un canal pour le flux de courant. MOSFET est un FET plus avancé conçu pour augmenter la résistance du drain et appliquer une impédance d’entrée infinie tout en abaissant le courant de fuite. Cependant, le MOSFET nécessite un entretien de puits en raison du risque de corrosion lié à l’isolant à l’oxyde métallique.

Principales différences entre JFET et MOSFET

  • La principale différence entre JFET et MOSFET est que le courant dans JFET circule en raison du champ électrique dans la jonction PN et que dans MOSFET est dû au champ électrique transversal dans la couche d’oxyde métallique.
  • La différence cruciale suivante est que JFET a une impédance d’entrée plus faible alors que MOSFET a pratiquement une impédance infinie car il n’y a pas de contact direct entre la grille et le substrat.
  • Une autre différence notable est que le JFET a une résistance de drain inférieure tandis que le MOSFET a une résistance de drain élevée.
  • Le JFET a également un courant de fuite plus élevé, mais le MOSFET a été curetté pour être plus efficace avec un courant de fuite plus faible.
  • Bien que le JFET soit plus difficile à assembler que le MOSFET, il est moins coûteux que ce dernier.

JFET et son successeur MOSFET sont tous deux largement utilisés comme amplificateurs et commutateurs dans divers domaines d’application. Cependant, les MOSFET sont apparus comme des transistors plus compétents pour être utilisés dans les puces de mémoire d’ordinateur.

La principale différence entre les deux est que le JFET utilise un champ électrique dans la jonction PN tandis que le MOSFET utilise un champ électrique transversal dans la couche d’oxyde métallique intégrée pour la conductivité électrique à travers le substrat.

Une autre différence clé est que le JFET n’a pas de couche d’oxyde métallique pour l’isolation que possède le MOSFET dans sa conception et d’où le nom de Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique ou MOSFET.

JFET est la forme la plus basique de FET alors que MOSFET a été conçu pour être plus efficace et a moins de courant de fuite. Ceci a été réalisé en incorporant la barrière d’oxyde métallique entre la borne de grille et le substrat.

Bien que JFET et MOSFET appartiennent à la même famille de transistors, JFET est très différent de son cousin MOSFET qui a une résistance et une impédance de drain beaucoup plus élevées que JFET.

La différence entre JFET et MOSFET les a conduit à un domaine d’utilisation différent tel que JFET est plus utilisé dans les amplificateurs, les redresseurs et les commutateurs alors que MOSFET est incorporé dans les puces de mémoire d’ordinateur pour leur haut niveau d’efficacité.

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