Diferencia entre JFET y MOSFET (Con Tabla)

Los transistores de efecto de campo o JFET son dispositivos eléctricos que se utilizan como amplificadores o interruptores y se han convertido en una parte integral de los chips de memoria. JFET y MOSFET son dos tipos de FET que funcionan según el principio de transistores de unión, pero son muy diferentes entre sí.

JFET vs MOSFET

La diferencia entre JFET y MOSTFET es que la corriente a través de JFET es canalizada por el campo eléctrico a través de la unión PN con sesgo inverso, mientras que en MOSFET la conductividad se debe al campo eléctrico transversal en el aislante de óxido metálico incrustado en el semiconductor.

La siguiente diferencia clave entre los dos es que el JFET permite menos impedancia de entrada que el MOSFET y, desde este último, que tiene un aislante integrado, permite menos fugas de corriente.

JFET, que normalmente se denomina “dispositivo ENCENDIDO”, es una herramienta de tipo de agotamiento que tiene una baja resistencia al drenaje, mientras que su sucesor MOSFET se denomina normalmente” dispositivo APAGADO ” que puede funcionar tanto en modo de agotamiento como en modo mejorado y tiene una alta resistencia al drenaje.

Parámetro de comparación JFET MOSFET
Impedancia de entrada Impedancia de entrada baja de aproximadamente 108 Ω Impedancia de entrada alta de aproximadamente 1010 a 1015 Ω
Resistencia al drenaje Baja resistencia al drenaje Alta resistencia al drenaje
Fácil de fabricar Es más difícil de fabricar que MOSFET Es comparativamente más fácil de montar que JFET
Precio Menor coste que MOSFET Más costoso que JFET
Modo de funcionamiento Tipo de agotamiento Tanto el tipo de agotamiento como el de mejora

JFET, que es una abreviatura de Transistor de Efecto de Campo de Compuerta de Unión, es un dispositivo unipolar que básicamente tiene tres partes, una fuente, un drenaje y una compuerta. Se utiliza principalmente en amplificadores, resistencias e interruptores.

Es un tipo básico de FET que funciona cuando se aplica un voltaje pequeño al terminal de la puerta. Este pequeño voltaje permite que la corriente fluya de la fuente al drenaje y más allá.

El voltaje aplicado en la compuerta (VGS) controla el ancho de la zona de agotamiento y, por lo tanto, la cantidad de corriente que fluye a través del semiconductor. Por lo tanto, la corriente de drenaje que fluye a través del canal es proporcional al voltaje aplicado.

A medida que aumenta el voltaje negativo en el terminal de la puerta, la zona de agotamiento se ensancha y la corriente fluye menos a través del canal y, finalmente, llega una etapa donde la zona de agotamiento detiene el flujo de corriente por completo.

JFET se clasifica además en JFET de canal N, donde el canal que conecta el drenaje y la fuente está muy dopado con electrones, y JFET de canal P, donde el canal es rico en agujeros

MOSFET o semiconductor de óxido metálico FET es una configuración avanzada de FET que tiene cuatro partes para llevar a cabo sus funciones. Son ampliamente utilizados en chips de memoria de computadora, como en celdas de memoria semiconductora de óxido metálico para almacenar bits.

Aunque MOSFET sigue el principio básico de FET, tiene un diseño más complicado que también lo hace más eficiente. MOSFET también es un dispositivo unipolar que funciona tanto en modos de agotamiento como de mejora para amplificar las señales.

Todos los tipos de MOSFET tienen un aislante de óxido metálico que separa el sustrato de la compuerta. Cuando se aplica una tensión en el terminal de la compuerta, se forma un canal, debido a la fuerza electrostática, entre el drenaje y la fuente que permite la corriente.

El MOSFET D funciona en modo de agotamiento donde existe un canal preconstruido y este canal se cierra al aplicar un voltaje, mientras que el MOSFET E que funciona en el modo de mejora requiere un potencial para crear un canal para el flujo de corriente. MOSFET es un FET más avanzado hecho para aumentar la resistencia al drenaje y aplicar impedancia de entrada infinita mientras reduce la corriente de fuga. Sin embargo, el MOSFET requiere mantenimiento del pozo debido al riesgo de corrosión asociado al aislante de óxido metálico.

Principales diferencias entre JFET y MOSFET

  • La diferencia clave entre JFET y MOSFET es que la corriente en JFET fluye debido al campo eléctrico en la unión PN y que en MOSFET se debe al campo eléctrico transversal en la capa de óxido metálico.
  • La siguiente diferencia crucial es que JFET tiene una impedancia de entrada más baja, mientras que MOSFET prácticamente tiene impedancia infinita, ya que no hay contacto directo entre la puerta y el sustrato.
  • Otra diferencia notable es que el JFET tiene una menor resistencia al drenaje, mientras que el MOSFET tiene una alta resistencia al drenaje.
  • JFET también tiene una corriente de fuga más alta, pero MOSFET se cureteó para ser más eficiente con una corriente de fuga más baja.
  • Aunque el JFET es más difícil de montar que el MOSFET, es menos costoso que este último.

JFET y su sucesor MOSFET se utilizan ampliamente como amplificadores e interruptores en diversos campos de aplicación. Sin embargo, MOSFET ha surgido como transistores más competentes para ser utilizados en chips de memoria de computadora.

La principal diferencia entre los dos es que el JFET utiliza un campo eléctrico en la unión PN, mientras que el MOSFET utiliza un campo eléctrico transversal en la capa de óxido metálico incrustada para la conductividad eléctrica a través del sustrato.

Otra diferencia clave es que JFET no tiene una capa de óxido metálico para el aislamiento que MOSFET posee en su diseño y, por lo tanto, se le dio el nombre de Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de Óxido metálico o MOSFET.

JFET es la forma más básica de FET, mientras que MOSFET fue diseñado para ser más eficiente y tiene menos corriente de fuga. Esto se logró mediante la incorporación de la barrera de óxido metálico entre el terminal de la compuerta y el sustrato.

Aunque JFET y MOSFET pertenecen a la misma familia de transistores, JFET es muy diferente de su primo MOSFET, que tiene una resistencia e impedancia de drenaje mucho más alta que JFET.

La diferencia entre JFET y MOSFET los ha llevado a un campo de uso diferente, como JFET se usa más en amplificadores, rectificadores e interruptores, mientras que MOSFET se incorpora en chips de memoria de computadora por su alto nivel de eficiencia.

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