Unterschied Zwischen JFET und MOSFET (Mit Tabelle)

JFET oder Feldeffekttransistoren sind elektrische Geräte, die entweder als Verstärker oder Schalter verwendet werden und zu einem integralen Bestandteil von Speicherchips geworden sind. JFET und MOSFET sind zwei Arten von FETs, die nach dem Prinzip von Sperrschichttransistoren arbeiten, sich jedoch stark voneinander unterscheiden.

JFET vs MOSFET

Der Unterschied zwischen JFET und MOSTFET besteht darin, dass der Strom durch den JFET durch das elektrische Feld über den umgekehrten PN-Übergang geleitet wird, während beim MOSFET die Leitfähigkeit auf das transversale elektrische Feld im auf dem Halbleiter eingebetteten Metalloxidisolator zurückzuführen ist.

Der nächste Hauptunterschied zwischen den beiden besteht darin, dass der JFET eine geringere Eingangsimpedanz als der MOSFET zulässt, und dass der letztere, in den ein Isolator eingebettet ist, einen geringeren Stromverlust ermöglicht.

JFET, die ist in der regel bezeichnet als “AUF gerät” ist eine verarmung typ werkzeug, dass hat niedrigen drain widerstand während seine nachfolger MOSFET ist bezeichnet als in der regel “OFF gerät”, dass kann arbeit auf sowohl verarmung modus und verbesserte modus und hat hohe drain widerstand.

Parameter von Vergleich JFET MOSFET
Eingangsimpedanz Niedrige Eingangsimpedanz von etwa 108 Ω Hohe Eingangsimpedanz von etwa 1010 bis 1015 Ω
Abflusswiderstand Niedriger Abflusswiderstand Hoher Abflusswiderstand
Einfach der herstellung Es ist schwieriger herzustellen als MOSFET Es ist vergleichsweise einfacher zu montieren als JFET
Preis Niedrigere Kosten als MOSFET Teurer als JFET
Funktionsmodus Verarmungstyp Sowohl Verarmungs- als auch Verbesserungstyp

JFET, eine Abkürzung für Junction Gate Field Effect Transistor, ist ein unipolares Bauelement, das im Wesentlichen aus drei Teilen besteht, einer Source, einem Drain und einem Gate. Es wird hauptsächlich in Verstärkern, Widerständen und Schaltern verwendet.

Es ist ein grundlegender FET-Typ, der funktioniert, wenn eine kleine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird. Diese kleine Spannung ermöglicht den Stromfluss von der Quelle zum Drain und darüber hinaus.

Die am Gate (VGS) anliegende Spannung steuert die Breite der Verarmungszone und damit die Menge des durch den Halbleiter fließenden Stroms. Daher ist der durch den Kanal fließende Drainstrom proportional zur angelegten Spannung.

Wenn die negative Spannung am Gate-Anschluss ansteigt, erweitert sich die Verarmungszone und es fließt weniger Strom durch den Kanal, und schließlich erreicht eine Stufe, in der die Verarmungszone den Stromfluss vollständig stoppt.

JFET wird weiter klassifiziert in N-Kanal-JFET, wo der Kanal, der Drain und Source verbindet, stark mit Elektronen dotiert ist, und P-Kanal-JFET, wo der Kanal reich an Löchern ist

MOSFET oder Metalloxid-Halbleiter-FET ist eine erweiterte Konfiguration von FET, die vier Teile hat, um ihre Funktionen auszuführen. Sie sind weit verbreitet in Computer-Speicherchips wie in Metalloxid-Halbleiter-Speicherzellen zum Speichern von Bits verwendet.

Obwohl MOSFET dem Grundprinzip von FET folgt, hat es ein komplizierteres Design, das es auch effizienter macht. MOSFET ist auch ein unipolares Gerät, das sowohl im Depletion- als auch im Enhancement-Modus arbeitet, um Signale zu verstärken.

Alle Arten von MOSFETs haben einen Metalloxid-Isolator, der das Substrat vom Gate trennt. Wenn eine Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird, wird aufgrund der elektrostatischen Kraft ein Kanal zwischen Drain und Source gebildet, der den Strom zulässt.

Der D-MOSFET arbeitet im Depletion-Modus, wo ein vorgefertigter Kanal vorhanden ist und dieser Kanal beim Anlegen einer Spannung geschlossen wird, während der E-MOSFET, der im Enhancement-Modus arbeitet, ein Potential benötigt, um einen Kanal für den Stromfluss zu erzeugen. MOSFET ist eine erweiterte FET gemacht zu erhöhen die drain widerstand und gelten unendliche eingang impedanz während senkung der leckstrom. Jedoch erfordert MOSFET wohle Wartung wegen des Korrosionsrisikos, das wegen des Metalloxidisolators verbunden ist.

Hauptunterschiede zwischen JFET und MOSFET

  • Der Hauptunterschied zwischen JFET und MOSFET besteht darin, dass der Strom in JFET aufgrund des elektrischen Feldes im PN-Übergang fließt und dass der Strom in MOSFET aufgrund des transversalen elektrischen Feldes in der Metalloxidschicht fließt.
  • Der nächste entscheidende Unterschied besteht darin, dass der JFET eine niedrigere Eingangsimpedanz aufweist, während der MOSFET praktisch eine unendliche Impedanz aufweist, da kein direkter Kontakt zwischen dem Gate und dem Substrat besteht.
  • Ein weiterer bemerkenswerter Unterschied besteht darin, dass der JFET einen niedrigeren Drainwiderstand aufweist, während der MOSFET einen hohen Drainwiderstand aufweist.
  • JFET hat auch eine höhere leckstrom aber MOSFET war kürettiert zu werden mehr effiziente mit niedrigeren leckstrom.
  • Obwohl JFET ist schwieriger zu montieren als MOSFET, es ist weniger teuer als die letztere.

JFET und sein Nachfolger MOSFET sind beide als Verstärker und Schalter in verschiedenen Anwendungsbereichen weit verbreitet. MOSFET hat sich jedoch als kompetentere Transistoren für die Verwendung in Computerspeicherchips herausgestellt.

Der Hauptunterschied zwischen den beiden besteht darin, dass der JFET ein elektrisches Feld im PN-Übergang verwendet, während der MOSFET ein transversales elektrisches Feld in der eingebetteten Metalloxidschicht für die elektrische Leitfähigkeit durch das Substrat verwendet.

Ein weiterer wesentlicher Unterschied besteht darin, dass der JFET keine Metalloxidschicht zur Isolierung aufweist, die der MOSFET in seinem Design besitzt, und daher der Name Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor oder MOSFET gegeben wurde.

JFET ist die grundlegendste form von FET während MOSFET wurde entwickelt, um mehr effiziente und hat weniger leckstrom. Dies wurde erreicht, indem die Metalloxidbarriere zwischen dem Gate-Anschluss und dem Substrat eingebaut wurde.

Obwohl JFET und MOSFET zur selben Familie von Transistoren gehören, unterscheidet sich JFET stark von seinem Cousin MOSFET, der einen viel höheren Drainwiderstand und eine viel höhere Impedanz als JFET aufweist.

Der Unterschied zwischen JFET und MOSFET hat sie zu einem anderen Einsatzgebiet geführt, z. B. wird JFET häufiger in Verstärkern, Gleichrichtern und Schaltern verwendet, während MOSFET aufgrund ihres hohen Wirkungsgrads in Computerspeicherchips integriert ist.

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